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    反應離子刻蝕RIE

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    設備名稱 反應離子刻蝕RIE    品牌型號  oxford

    設備用途
    利用F基氣體產生的plasma,對SiO2和Si3N4進行刻蝕加工

    主要技術指標:
    可用氣體:Ar、N2、CHF3、NF3、N2O
    刻蝕腔體極限真空度: 5×10^-6Torr , 真空漏率 0.5mTorr/min
    刻蝕速率: SiO2 ≥30nm/min,SiNx≥30nm/min
    刻蝕選擇比:對SiO2>2.5,對Si3N4>1.5
    側壁角度:>80℃
    加工尺寸:2inch、3inch、4inch、碎片

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