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    分子束外延(MBE)

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    設備名稱:分子束外延(MBE)

    設備用途:
    MBE是生長高純薄膜晶體的一種頂尖的薄膜生長手段,相比其他生長方法具有較高的優越性,可以在原子層量級精確控制薄膜厚度和摻雜度,可以實現通過人為生長進行能帶工程的剪裁,可以生長量子點、量子阱、二維超晶格等。
    可生長外延結構
    光學器件(激光器、探測器、可飽和吸收鏡、超輻射發光二極管等)
    電學器件(HEMT,pHEMT,HBT等)


    主要規格及技術指標
    生長室最高工作溫度800℃;可生長GaAs,AlAs,InAs,InP等III-V族材料,可進行Be,Si、C等摻雜;生長室真空度優于5E-11Torr,兼容2inch、3inch、4inch、6inch

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